技术编号:7238060
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法,且更具体地,涉及一种能容易 地形成微细图案的制造半导体器件的方法。背景才支术随着半导体器件变得高度集成,图案的临界尺寸和距离已被小型化。一 般地,在半导体的制造中,进行曝光和蚀刻工艺以形成期望的图案。具体地, 光致抗蚀剂材料在图案形成膜上使用光刻工艺形成图案。随后使用光致抗蚀 剂材料图案作为蚀刻掩模蚀刻图案形成膜。因此,光刻技术是形成微细图案的重要因素。常规光刻这样进行使用 KrF或ArF在光致抗蚀剂材料上曝光光刻板(r...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。