技术编号:7238076
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种集成电路结构,且特别是有关于一种高压元件结构。背景技术为了在单位面积的硅芯片表面放入更多的晶体管,目前在集成电路业界,多会利用于硅芯片中形成场氧化层(field oxide)或浅沟槽隔离(shallow trench isolation)等隔离结构,以隔绝各个晶体管,避免漏电和短路等不正常导通现象。另外,为了配合晶体管缩小后所增加的内连线需求,多层金属内连线已 成为许多集成电路所采用的方式,上层的导线可能会经过隔离结构或源极/ 漏极区之上...
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