技术编号：7238179
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及集成电路形成中的溅射，更具体地涉及用于形成互 连线的溅射铝的后处理。背景技术溅射，也称作物理气相沉积(PVD)，是在硅集成电路制造中沉积金属及 相关材料层最普遍的方法。在商业生产中最常用的一种DC电磁管溅射中，溅 射涂覆的晶圆设置在与要溅射的金属靶材相对的真空腔室中。氩工作气体可以 引入到真空腔室。当相对于腔室壁或其护罩，靶材为负偏压时，氩气激励到等 离子体并从靶材溅射出金属原子，其中一些金属原子撞击晶圆并在其上形成金 属涂层。放置在耙...
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