技术编号:7238180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种将MIS结构(Metal Insulator Semiconductor 金属-绝缘体-半导体结构)进行内置的HEMT (High Electron Mobility Transistor高电子迁移率晶体管)。背景技术当前,开发有具备设置于漏极区域(高电位侧区域的一个示 例)和源极区域(低电位侧区域的一个示例)之间的异质结构的HEMT。 异质结构(Hetero structure)是指具有不同带隙宽度的半导体区域进 行层叠后的结构。异质结构能...
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