技术编号:7238670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造碳化硅(SiC)半导体装置的方法和设备,更特别地,涉及用于制造具有氧化物膜的SiC半导体装置的方法和设备。背景技术在制造半导体装置的方法中,为了除去附着至表面的沉积物,通常实施清洁。例如,在日本特开平6-314679号公报(专利文献I)中公开的技术可例示为这种清洁方法。以如下方式实施专利文献I中的清洁半导体衬底的方法。首先,利用含臭氧的超纯水对硅(Si)衬底进行清洁,由此形成Si氧化物膜,从而将颗粒和金属杂质并入到这种Si氧化物膜的内部或...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。