技术编号:7238681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造碳化硅衬底的方法和设备。 背景技术仅年来,采用碳化硅衬底作为用于制造半导体器件的半导体衬底。碳化硅具有比更常用的硅更大的带隙。因此,采用碳化硅衬底的半导体器件有利地具有高击穿电压、低导通电阻和在高温环境中不容易变差的性质。为了高效地制造这种半导体器件,某种程度上需要衬底尺寸大些。根据US专利 No. 7314520 (专利文献1),可以制造76mm (3英寸)或更大的碳化硅衬底。引用列表专利文献PTL 1 =US 专禾Ij No. 73145...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。