技术编号:7238758
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术在制造半导体器件的过程中,需要在半导体衬底中选择性形成杂质区的步骤。例如,在制造n沟道型MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)的过程中,为了得到npn结构,通常执行在n型半导体衬底中部分地形成p型杂质区并且进一步在这个p型杂质区中部分地形成n型杂质区的步骤。即,形成在延伸上彼此不同的两个杂质区。在采用硅衬底的情况下,因为可以通过扩散来调节杂质区的延伸,所以已广泛使用利用这种特征的双扩散技术。同时,在采用碳化硅衬底的情况下,杂质的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。