技术编号：7238824
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及稀磁半导体薄膜制备，特别指一种采用稀土 元素双能态离子注入法制备稀磁半导体薄膜的方法。背景技术稀磁半导体材料是近年来在自旋电子学研究领域中受到广泛关注的研究热点。in族氮化物半导体材料具有优良的半导体性能和大规模 产业化应用的基础，与磁学性能相结合可能研制出集成磁、光、电特 性于一体的新型自旋电子器件，如自旋隧穿二极管，自旋发光二极管， 在量子计算、量子通讯等现代信息中有十分重要的应用前景。 但是由于磁性金属元素在半导体材料中的.溶解度低，掺杂浓...
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