技术编号:7238841
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种扩散工艺,特别是关于一种应用于硅太阳能电池的扩散工艺。技术背景扩散技术作为单晶硅和多晶硅太阳能电池最重要的工艺,其目的是形成与基底导电类型相反的发射区,从而形成PN结。通常单晶硅和多晶硅太阳能电池采用 P型基底,三氯氧磷(P0C13)液态源扩散,通过一系列化学反应和磷原子扩散过 程形成掺磷的N型发射区。 一般情况下,扩散温度设为830 870°C,通源时间20 35分钟;在高温过程中,P0Cl3通过氮气(一般称这部分氮气为小氮)携带进入石 ...
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