技术编号：7238975
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别涉及在金属上形成自对准介电 盖层的方法。背景技术近年来，铜已广泛取代铝或其他金属以在半导体元件之间制造导电内连 线，然而，使用铜会使得金属离子有电迁移增加的缺点，进而造成电路失效。发明内容本发明的目的在于提出一种可克服上述电路失效缺陷的半导体元件制 造方法。本发明提供一种，包括提供具有第一区域和第二区域的基底，其中第一区域包括第一介电材料，且第二区域包括铜；在基本 无氧的环境下处理基底，以除去在第二区域内的铜氧化物；以及形成盖层在 基底上方...
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