技术编号:7239046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本it明书涉及一 种集成电路以及一种制造这种集成电路的方 法。而且,本说明书涉及一种存储器件以及一种制造这种存储器件 的方法。背景技术通常,在半导体中,具有诸如阈值电压(Vth)、速度 以及功库C的不同特性的多种晶体管已是^>知的。才艮据所应用的领 域,期望得到一种具有较高或较低阈值电压的类型的晶体管。而且, 存在着多个用来增大晶体管的沟道长度的构思。以类似的方式,可 以根据所期望的应用来选择适当类型的晶体管。此外,通常期望将具有不同特性的两个晶体管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。