技术编号:7239842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般来说涉及存储器装置。更具体来说,本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)。背景技术与常规随机存取存储器(RAM)芯片技术不同,在磁性RAM(MRAM)中,数据并不存储 为电荷,而是替代地通过存储元件的磁性极化而存储。存储元件由通过隧穿层所分开的两个铁磁层形成。所述两层中的一者具有设置成特定极性的至少一个钉扎磁性极化(或固定层)。更改另一磁性层(或自由层)的磁极性以使其表示“I”(即,针对固定层的反平行极性)或“O”(即,针对固定层的平行极性)。具...
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