技术编号：7239856
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在包括弯曲控制层的基底上生长的半导体发光器件。背景技术半导体发光器件包括发光二极管(LED)、共振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)以及边发射激光器是目前可用的最有效的光源。目前在制造能够跨越可见光谱运行的高亮度发光器件中所关心的材料系统包括III-V族半导体，特别是也被称为111族氮化物材料的镓、铝、铟、和氮的二元合金、三元合金和四元合金。通常，通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、或其它外延...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。