技术编号:7239857
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及复合衬底以及在复合衬底上的πι-v族发光器件的生长。背景技术包括发光二极管(LED)、共振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)、以及边缘发射激光器的半导体发光器件是目前可获得的最有效的光源。在能够跨越可见光谱范围工作的高亮发光器件的制造中,目前感兴趣的材料系统包括III-V族半导体,特别是镓、铝、铟和氮的ニ元、三元、和四元合金,也称为III族氮化物材料。典型地,III族氮化物发光器件通过由金属有机化学气相沉积(M0CVD)、...
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