技术编号:7240932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及半导体结构,更具体地,涉及具有用于穿通娃通路(ThroughSilicon Via,下文称为TSV)的完整空隙填充的方法和结构。背景技术电子设备的设计者被迫使提高容量,通常为每单位体积可得到的性能。这种迫使促进了诸如堆叠封装的技术的采用,其中在每个封装体中将两个或者更多芯片(IC)以一个在另一个之上的方式堆叠,即垂直堆叠,并且一个芯片的面叠置在另一个芯片的面上。一种制造堆叠封装体的方式是通过晶片级处理,其中两个或者更多晶片以这种方式堆叠,每个...
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