技术编号:7241592
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法,包括1)在衬底上形成条状的凹陷或凸起结构;2)在该凹陷或凸起结构的表面上沉积多晶硅薄膜;3)对多晶硅薄膜进行离子注入,离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂,同时使部分多晶硅薄膜未掺杂,形成搭桥晶粒线。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。专利说明一种搭桥晶粒多晶娃薄膜晶体管及其制造方法[0001]本发明涉及多晶硅薄膜晶体管(TFT)技术,更具体地,涉及一种具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。背景技术[0002...
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