技术编号:7241597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种多晶硅薄膜的制造方法,包括1)在衬底表面上形成条状的V字型凹槽或V字型凸起;2)沉积多晶硅薄膜,均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁;3)对多晶硅薄膜进行离子注入,离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂,同时使部分多晶硅薄膜未掺杂,其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线。专利说明[0001]本发明涉及多晶硅薄膜晶体管(TFT)技术,更具体地,涉及一种具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。背景技术[0002]为实现多晶硅TFT有源矩阵显示器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。