技术编号:7241601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了,包括1)在准分子激光退火的多晶硅薄膜上沉积低温氧化层和非晶Si层;2)旋涂光刻胶;3)对光刻胶曝光,形成条状图案;4)离子注入;5)剥离光刻胶,蚀刻掉非晶Si和低温氧化层;6)刻蚀步骤5)得到的多晶硅薄膜,形成有源岛;7)用氧等离子除去光刻胶;8)去除自然氧化层,然后用LPCVD法沉积低温氧化物作为栅极绝缘层,再形成栅电极;9)对P型沟道和N型沟道TFT分别掺入硼和磷,作为源极和漏极;10)沉积低温氧化物隔离层并同时激活掺杂物,打开接触孔,形...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。