技术编号:7241932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供一种在对半导体层进行蒸镀而成膜时,能够直接高精度地得知半导体层的温度的测定装置以及测定方法。对半导体层照射在第1温度范围(T3-T4)内光的透射率衰减的第1波长的激光、和在第2温度范围(T5-T6)内光的透射率衰减的第2波长的激光,由受光部接收透过了半导体层的光。在半导体层的温度上升,而第1波长的激光的探测光量衰减了的时间点,能够得知激光的透射率的衰减幅度(D4-D3)。在温度进一步上升而第2波长的激光的探测光量超过衰减起点(g)之后,能够根据某测定时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。