技术编号:7241933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及能够改善发光效率的。根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括n型半导体层,其上表面上有至少一个凹坑;形成在所述n型半导体层上的有源层,所述有源层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹进的顶表面;和形成在所述有源层上的p型半导体层,所述p型半导体层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述有源层的凹痕凹进的顶表面。专利说明[0001]本发明涉及半导体发光器件,具体地,涉及具有提高的光提取[0002]效率的。背景技术[0003]氮化物半导体发光器件作为一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。