技术编号：7242006
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般关于用于基材的化学机械研磨的方法，及执行该方法的设备。背景技术通孔已使用于半导体制造，以提供于半导体装置内的一或多层导电材料间的电性率禹接。近来，出现娃通孔(through-silicon vias, TSV)作为传统打线的替代方案。娃通孔允许藉由于z轴中形成互连而达成更短的互连。互连系藉由形成从基材的前表面延伸至后表面的通道，穿过基材而产生。于z轴中产生互连后，多重基板可彼此堆迭于顶端，且多重 基板经由垂直延伸的互连而电性耦接。硅通孔基...
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