技术编号:7242174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施方案提供了用于通过ALD(原子层沉积)和/或CVD(化学气相沉积)工艺形成包含正电性金属的层、包含一种或多种正电性金属的层、以及包括含有一种或多种正电性金属的层的半导体器件的方法。在本发明实施方案中,所述层是薄或超薄的(小于厚的膜)和/或是共形膜。另外提供了包括金属层的晶体管器件、金属互连件和计算装置,所述金属层包含一种或多种正电性金属。专利说明用于半导体应用的含正电性金属的层[0001]本发明的实施方案一般涉及集成电路装置、半导体器件、金属互连...
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