技术编号：7242201
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提供了包括设置在第一电极和第二电极之间的活性区的忆阻元件。活性区包括第一金属氧化物的转换层和第二金属氧化物的导电层，其中第一金属氧化物的金属离子不同于第二氧化物的金属离子。忆阻元件基于在第一金属氧化物和第二金属氧化物之间的氧化物异质结而在低电阻状态下展示出非线性电流-电压特性。还提供了包括忆阻元件的多层结构。专利说明基于异质结氧化物的忆阻元件背景技术[0001]不一定基于硅的存储器(包括电阻随机存取存储器)作为新兴技术显示极大的前途。存储器可基于二维电路、...
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