技术编号：7242344
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。公开了基于间隔体的间距分隔光刻技术，其使用单一间隔体沉积实现了具有可变线宽和可变间隔宽度的间距。所得到的特征间距可以处于或者低于所用的曝光系统的分辨率限度，但它们不必如此，并可以借助本文所述的随后的间隔体形成和图案转移工艺，按照所期望的方式进一步减小(例如减半)许多倍。这种基于间隔体的间距分隔技术例如可以用于以小于初始基干图案的间距限定窄导电线路、金属栅极及其他此类小特征。专利说明背景技术[0001]众所周知，在制造集成电路时通常使用光刻法。工艺通常包括在...
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