技术编号:7242691
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种MOS器件及其制造方法,所述MOS器件包括衬底、形成于所述衬底之上的栅极结构、以及分别位于所述栅极结构两侧衬底中的漏极区和源极区;所述衬底设有第一阱区和第二阱区,所述第一阱区与第二阱区在所述栅极结构底部的衬底中相接;所述漏极区位于所述第一阱区;所述源极区位于所述第二阱区;在所述漏极区上,设有反熔丝元件。本发明的MOS器件可适应较高的工作电压,进而使得MOS器件可以适应于高功率下工作的电子产品。专利说明MOS器件及其制造方法[0001]本发明...
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