技术编号:7242773
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构,其包括一有源层,包括依次层叠设置的一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层;一第三光学对称层设置于所述第二半导体层远离基底的一侧,所述第三光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5;一金属层设置于所述第三光学对称层远离基底的一侧;一第四光学对称层设置于所述金属层远离基底的一侧,所述第四光学对称层的折射率的范围为1.2至1.5;以及一第一光学对称层设置于所述第四光学对称层远离基底的一侧,所述第一光学对称层的折射率n1与所述缓冲层和有...
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