技术编号:7242794
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括步骤a)提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有具有第一宽度的第一栅材料层;b)执行离子注入工艺,以在所述第一栅材料层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极;c)对所述第一栅材料层进行修剪,以形成具有第二宽度的第二栅材料层;d)执行离子注入工艺,以在所述第二栅材料层两侧的半导体衬底中形成浅掺杂区;和e)对所述第二栅材料层进行修剪,以形成具有第三宽度的第三栅材料层。本发明的方法无需侧墙来制作半导体器件,因而可以避免形成和去除偏移间隙壁和间隙壁给生产...
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