技术编号:7242828
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,包括提供一衬底;在所述衬底上沉积形成具有锗含量呈梯度分布的多晶硅栅极;在所述衬底中形成源漏极;形成覆盖所述衬底和所述栅极的应力记忆层;执行热退火。本发明可以克服对约束材料强度的依赖,即在引入应力的时候不必过多当心其是否是约束材料能够承受的,并降低由于约束材料的原因而导致的应力释放的风险从而得到理想的应力记忆效果。专利说明[0001]本发明是涉及一种半导体制造,更确切的说,本发明涉及。背景技术[0002]随着半导体器件工艺的发展以及按比例尺寸缩小...
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