技术编号:7243058
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种反应腔室、基片加工设备及温度控制方法,其包括腔室本体、设置于所述腔室本体内的加热单元和支撑单元,所述加热单元用于加热被加工工件,所述支撑单元用于承载被加工工件,其中,所述支撑单元包括铠装热电偶,所述铠装热电偶与所述被加工工件直接接触,用以直接检测被加工工件的温度。上述反应腔室可以直接检测被加工工件的温度,从而可以准确地获得被加工工件的温度。专利说明[0001]本发明涉及微电子加工,具体地,涉及一种。背景技术[0002]等离子体加工设备是加工半...
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