技术编号：7243069
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术以往的实际情况是能够在硅氧化膜、聚硅膜的化学机械研磨(以下也称为“CMP”)中达到实用的研磨速度的化学机械研磨用水系分散体很常见，但另一方面，能够在硅氮化膜的CMP中达到实用的研磨速度的化学机械研磨用水系分散体几乎不存在。由于这样的实际情况，因而利用将硅氮化膜形成阻挡层卜y ^ 一)、通过CMP除去在该硅氮化膜上形成的硅氧化膜的方法。然后，最终需要对作为阻挡层的硅氮化膜也进行除去。作为除去硅氮化膜的方法，以往采用利用热磷酸进行蚀刻处理的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。