技术编号：7243080
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术包括ITO膜的透明导电氧化物膜广泛用于各种平板显示器、光电转换元件等，因为利用约几百nm的膜厚度获得了几Q / □的方块电阻且对可见光的透过率高，所述ITO是铟、锡和氧的化合物。近年来，已经开始对将无定形氧化物薄膜如In-Ga-Zn-O薄膜用于沟道层的薄膜晶体管进行了研究。这种氧化物薄膜由高离子键形成且特征为在结晶状态与无定形状态之 间的电子迁移率之差小。因此，在氧化物薄膜中，即使在无定形状态下仍可获得比较高的电子迁移率。另外，通过使用...
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