技术编号:7243293
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种复合式ΔE-E核辐射探测器及其制造方法,属于半导体核辐射探测器。本发明的复合式ΔE-E核辐射探测器包括薄型PIN探测器,厚型PIN探测器以及两者之间的介质键合层;薄型PIN探测器与厚型PIN探测器通过介质键合层机械固定到一起,并且形成电学互连;所述薄型PIN探测器包括高阻硅基片和所述高阻硅基片上的探测窗口;所述薄型PIN探测器探测窗口包括P区,N区以及两者之间的硅层。本发明还公开了所述复合式ΔE-E核辐射探测器的制造方法。本发明可用于空间探...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。