技术编号:7243298
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,于半导体衬底上依次形成N-GaN层、量子阱层、P-GaN层,然后刻蚀出多个直至N-GaN层的孔道并制备绝缘内壁,同时在所述P-GaN层上制备绝缘层,并刻蚀出桥接各该孔道的绝缘结构,接着对所述孔道填充电极材料使其与N-GaN层形成欧姆接触,于所述绝缘结构的上表面及没被所述绝缘结构覆盖的P-GaN层表面形成厚度小于所述绝缘结构厚度的透明导电层,以完成制备。本发明采用点状的N电极代替传统的线状N电极,有效的增加了发光二极管的亮度,点状电极有利于大电流...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。