技术编号:7243306
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种鳍式场效应管FinFET制作方法,该方法利用外延生长锗硅层和硅层以及锗硅层与半导体衬底和硅层之间的高刻蚀选择比,精确控制形成Fin的高度,在形成包围Fin的栅极结构和侧墙并源漏极注入之后,利用选择性刻蚀刻去除Fin的源极和漏极下方的硅层部分形成沟槽,最后用Flowable?CVD二氧化硅的方法在沟槽中形成源漏极隔离;本发明提出的FinFET制作方法一方面避免了在半导体衬底中形成较大深度的凹槽并在其中填充电介质作为STI,也无需采用回刻部分电...
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