技术编号:7243388
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种浅沟槽隔离的形成方法及半导体结构,通过在沟槽内形成硅层,减小了用以形成浅沟槽隔离的沟槽的尺寸,从而可减小后续形成的浅沟槽隔离的尺寸;同时,由于在所述沟槽的侧壁上形成有衬垫氧化硅层,该衬垫氧化硅层的深度与现有的浅沟槽隔离的厚度相当,由此,在该衬垫氧化硅层的辅助下,所述浅沟槽隔离的隔离性能将不受影响。即相当于与现有的浅沟槽隔离的尺寸相比,由于硅层的存在导致最终形成的浅沟槽隔离的体积变小了,从而实现了浅沟槽隔离能在同样的隔离性能下,进一步减小浅沟...
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