技术编号:7243474
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种氮化镓半导体元件,包括氮化镓半导体器件、封装外壳,以及与氮化镓半导体器件表面相对的一个发光单元。当氮化镓半导体元件的性能由于电子被俘获中心捕获而对元件性能有所影响时,可以通过发光单元进行照明,使电子从俘获中心逃逸,从而恢复元件的性能。专利说明可恢复性能的氮化镓元件[0001]本发明涉及功率半导体器件领域,特别涉及一种具有性能可恢复特性的氮化镓 (GaN)元件及制造方法。背景技术[0002]基于硅材料的功率半导体器件经过多年发展,器件的性能已经趋近硅材料...
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