技术编号:7243599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种形成CMOS器件的方法,包括提供半导体衬底,所述半导体衬底包括待形成PMOS晶体管的第一区域和待形成NMOS晶体管的第二区域,在所述第一区域或所述第二区域具有已形成的金属栅极结构,所述已形成的金属栅极结构包括顶部金属层,在另一区域具有高k介质层以及在所述高k介质层上的、待去除的氧化物夹层;对所述顶部金属层进行氧化处理,形成覆盖所述顶部金属层的金属氧化物层;以及湿法刻蚀去除所述金属氧化物层及所述氧化物夹层。通过氧化处理,在顶部金属层上形成致密的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。