技术编号:7243738
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种改善沟槽型IGBT栅极击穿能力的制备方法,包括步骤1)在N型硅片上淀积二氧化硅作为硬掩膜后,通过光罩定义出深沟槽的图案,刻蚀,将硬掩膜打开;2)将硬掩膜打开的区域进行湿法各向异性刻蚀;3)采用干法刻蚀,形成深沟槽;4)湿法刻蚀去除剩余的硬掩膜;5)在深沟槽内,依次沉积氧化硅和掺杂多晶硅作为栅极,然后通过光刻和刻蚀工艺形成栅极;6)在N型硅片上,形成P型区和N型区后,通过连接形成发射极;7)在硅片背面形成集电极。本发明能避免栅极加电压时电场集...
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