技术编号：7243841
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制备方法，所述传感器包括半导体衬底以及位于所述衬底上的外延层；栅极结构，位于所述外延层上；浅沟槽隔离、光电二极管区；第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，位于所述浅沟槽隔离两侧；自对准硅化物阻挡层，至少位于所述第二浮置扩散区上方；层间介质层，形成于所述栅极结构和外延层上方；第一接触塞和第二接触塞，位于所述层间介质层中，其中，第一接触塞位于第一浮置扩散区上方并与所述第一浮置扩散区电连接，第二接触塞位于与所述第二浮置扩散区对应的所...
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