技术编号：7243843
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，包括提供衬底，所述衬底中形成有源/漏区、所述衬底上形成有层间介电层以及位于所述层间介电层中的栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述层间介电层中形成与所述源/漏区对应的第一接触孔；在所述第一接触孔中形成具有预定高度的外延层；以及对所述外延层进行离子注入。该方法通过选择性外延抬升源/漏区，能够有效地降低接触孔蚀刻工艺的难度，进而获得较佳的接触孔剖面轮廓，并实现均一的金属填充。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及。背景技术[0002]随...
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