技术编号:7243855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种,该方法至少包括刻蚀该半导体晶片元件,以形成通孔;在所述半导体晶片以及通孔中形成导电层;通过使用研浆的化学机械研磨法研磨所述导电层;采用去离子水对所述半导体进行清洗。通过去离子水对CMP后的半导体进行清洗,可以减少或避免电弧缺陷,同时减少因为残留研浆所造成的颗粒污染,避免元件制程失败,提高良率。专利说明[0001]本发明属于半导体制造领域,特别涉及一种。背景技术[0002]随着超大型体积电路时代的到临,半导体元件的尺寸日益缩小,并且半导体元...
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