技术编号:7243915
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种高介电栅极制作方法,该方法通过锆化处理,在由二氧化硅层和HfO2材料的HK层组成的栅极电介质层的边缘部分生成HfZrO,一方面消除二氧化硅层和HfO2材料的HK层界面上形成的HfO-悬挂键所带的负电荷,改善尖端放电现象,从而提高二氧化硅层和HfO2材料的HK层之间的界面处的器件可靠性。另一方面在有效地调节短沟道器件的阈值电压的同时不影响长沟器件的特性。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件的制作技术,特别涉及。背景技术[0002]目前,半...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。