技术编号：7243976
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种氮化硅薄膜高深宽比孔的循环刻蚀方法，步骤一通过干法等离子体工艺采用碳氟基气体进行氮化硅薄膜的刻蚀并形成孔，同时生成聚合物沉积在所述孔的底部及侧壁；步骤二再向刻蚀腔体内通入氧化性气体及稀释性气体，既可控制深孔侧壁上的碳氟聚合物的沉积量、又可去除已沉积在深孔底部的聚合物以保证刻蚀可以继续进行，重复进行上述两步骤直至所述孔的刻蚀形貌达到要求。当增加步骤一中的碳氟基气体从而增加聚合物的量时，孔的形貌为略倾斜；当增加步骤二中的氧化性气体时，孔的形貌为陡直；通过将...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。