技术编号:7243981
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种,包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及氮气,以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤,其中通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm、通入氮气的速率为1000sccm;高频源功率为0.15~0.30KW,低频源功率为0.15~0.30KW;反应压力为2.3~2.6Torr;反应持续时间为4~6s。上述给出了低温条件下生成低应力氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选的参数,实现了低温条件下的低应力氮化硅薄膜的制造,能...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。