技术编号:7244085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,其中,鳍式场效应晶体管的形成方法,包括提供半导体衬底;形成覆盖所述半导体衬底表面的外延层;形成位于所述外延层表面的硬掩膜层,所述硬掩膜层具有暴露出外延层的开口;沿所述开口干法刻蚀所述外延层,形成鳍部,所述鳍部的侧壁与半导体衬底表面的夹角大于等于80度,小于90度。本发明实施例形成的鳍式场效应晶体管的半导体衬底内没有晶格损伤,且形成工艺简单,形成的鳍式场效应晶体管的性能优越。专利说明[0001]本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种。背景技术[0002]随...
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