技术编号:7244105
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。本发明的半导体装置具有第1导电型的第1半导体层,形成于第1半导体层的上面的第2导电型的第2半导体层,其中第1导电型与第2导电型相反,由外延生长层构成的第2导电型的第3半导体层,与第2半导体层相接,其杂质浓度高于第2半导体层,第1导电型的第4半导体层,其形成于第3半导体层上面,第2导电型的第5半导体区域,其与第4半导体层相接,由第5半导体区域的上面开始,至少到达第4半导体层的下面的沟槽,形成于沟槽的侧面及底面的绝缘膜以及其形成于绝缘膜的内侧的...
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