技术编号：7244149
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，所述装置包括一半导体基板；一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。本发明可避免元件间的短路情形。专利说明[0001]本发明涉及半导体制作，尤其涉及一种，以避免其内元件间的短路情形。背景技术[0002]随着特征尺寸的缩减及芯片上的...
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