技术编号:7244160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供一基底;形成多个浅沟槽隔离结构于基底中,其中上述浅沟槽隔离结构的上部部分突出基底的表面,使浅沟槽隔离结构间包括凹槽;形成一穿隧氧化层于基底上;及形成一浮置闸极层于基底上方,且填入上述凹槽中,其中形成浮置闸极层包括形成一第一导电层作为种晶层和形成一第二导电层于第一导电层上。本发明提供的一种,可解决浮置闸极层因为于晶粒太大造成空隙的问题。专利说明[0001]本发明是有关于一种半导体元件的制造方法,特别是有关于一种。背景技术[0002]近来,快闪存...
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