技术编号:7244179
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种浅沟槽隔离抛光液。背景技术随着半导体制程技术的发展,对特征线宽的要求愈来愈精细化,单位面积中的导 线数目大幅提升。为了提升元件的有效使用面积,化学机械抛光技术(CMP)便成了在半导 体制程技术中不可或缺的一项相当重要技术,因其相较于其他平坦化技术,具有全面平坦 化的特点。在元件的隔离技术上,以往是用局部硅氧化(LOCOS)的隔离技术,但当半导体进 入O. 25um节点以下,LOCOS出现以下不可克服的困难鸟嘴效应,凸出形状不利平坦化,离 子植...
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