技术编号:7244288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。所掲示的实施例涉及磁性隧道结(MTJ)存储元件中的复合硬掩模架构及用于创造自旋カ矩驱动的MTJ的非均一电流路径的方法。背景技术磁阻随机存取存储器(MRAM)为使用磁性元件的非易失性存储器技木。举例来说,自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)使用当电子经过薄膜(自旋过滤器)时变得自旋极化的电子。STT-MRAM还称为自旋转移カ矩RAM (STT-RAM)、自旋カ矩转移磁化切换RAM (自旋RAM)及自旋动量转移(SMT-RAM)。图I说明常规ST...
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